ನಿಮ್ಮ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಪಟ್ಟಿ ಮಾಡದಿದ್ದರೆ, ದಯವಿಟ್ಟು ಈ ಕೆಳಗಿನವುಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದನ್ನು ಆರಿಸಿ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

ನಿಮ್ಮ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಪಟ್ಟಿ ಮಾಡದಿದ್ದರೆ, ದಯವಿಟ್ಟು ಈ ಕೆಳಗಿನವುಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದನ್ನು ಆರಿಸಿ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ಮನೆ
  2. ಉತ್ಪನ್ನಗಳು
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G1646E-BCK0

Samsung Semiconductor - K4B4G1646E-BCK0

KEY Part #: K7359699

[18472pcs ಸ್ಟಾಕ್]

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
    K4B4G1646E-BCK0
    ತಯಾರಕ:
    Samsung Semiconductor
    ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
    4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
    ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
    ಒಂದು ವರ್ಷ
    ನಿಂದ ಚಿಪ್:
    ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
    ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
    ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
    ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
    ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
    ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: LPDDR4X, HBM Aquabolt, LPDDR4, DDR4, HBM Flarebolt, DDR3, GDDR5 and SLC Nand ...
    ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G1646E-BCK0 electronic components. K4B4G1646E-BCK0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G1646E-BCK0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646E-BCK0 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : K4B4G1646E-BCK0
    ತಯಾರಕ : Samsung Semiconductor
    ವಿವರಣೆ : 4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    ಸರಣಿ : DDR3
    ಸಾಂದ್ರತೆ : 4 Gb
    ಆರ್ಗ್ಯಾನಿಕ್. : 512M x 8
    ಸ್ಪೀಡ್ : 1600 Mbps
    ವೋಲ್ಟೇಜ್ : 1.5 V
    ತಾಪ. : 0 ~ 85 °C
    ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 96FBGA
    ಉತ್ಪನ್ನ ಸ್ಥಿತಿ : Mass Production

    ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Inside the building blocks of the 5G future
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    How Will 5G Impact on Memory?
    Samsung Now Producing Industry’s Highest Density (3GB) LPDDR3 Mobile Memory for Smartphones
    ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು