ನಿಮ್ಮ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಪಟ್ಟಿ ಮಾಡದಿದ್ದರೆ, ದಯವಿಟ್ಟು ಈ ಕೆಳಗಿನವುಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದನ್ನು ಆರಿಸಿ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

ನಿಮ್ಮ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಪಟ್ಟಿ ಮಾಡದಿದ್ದರೆ, ದಯವಿಟ್ಟು ಈ ಕೆಳಗಿನವುಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದನ್ನು ಆರಿಸಿ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ಮನೆ
  2. ಉತ್ಪನ್ನಗಳು
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B1G0846I-BYK0

Samsung Semiconductor - K4B1G0846I-BYK0

KEY Part #: K7359636

[17047pcs ಸ್ಟಾಕ್]

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
    K4B1G0846I-BYK0
    ತಯಾರಕ:
    Samsung Semiconductor
    ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
    1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
    ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
    ಒಂದು ವರ್ಷ
    ನಿಂದ ಚಿಪ್:
    ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
    ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
    ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
    ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
    ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
    ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: HBM Aquabolt, LPDDR4, GDDR6, GDDR5, LPDDR4X, LPDDR3, DDR3 and LPDDR5 ...
    ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B1G0846I-BYK0 electronic components. K4B1G0846I-BYK0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B1G0846I-BYK0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B1G0846I-BYK0 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : K4B1G0846I-BYK0
    ತಯಾರಕ : Samsung Semiconductor
    ವಿವರಣೆ : 1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    ಸರಣಿ : DDR3
    ಸಾಂದ್ರತೆ : 1 Gb
    ಆರ್ಗ್ಯಾನಿಕ್. : 128M x 8
    ಸ್ಪೀಡ್ : 1600 Mbps
    ವೋಲ್ಟೇಜ್ : 1.35 V
    ತಾಪ. : 0 ~ 85 °C
    ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 78FBGA
    ಉತ್ಪನ್ನ ಸ್ಥಿತಿ : Mass Production

    ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    How Will 5G Impact on Memory?
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು