ನಿಮ್ಮ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಪಟ್ಟಿ ಮಾಡದಿದ್ದರೆ, ದಯವಿಟ್ಟು ಈ ಕೆಳಗಿನವುಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದನ್ನು ಆರಿಸಿ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

ನಿಮ್ಮ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಪಟ್ಟಿ ಮಾಡದಿದ್ದರೆ, ದಯವಿಟ್ಟು ಈ ಕೆಳಗಿನವುಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದನ್ನು ಆರಿಸಿ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ಮನೆ
  2. ಉತ್ಪನ್ನಗಳು
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G0846E-BMK0

Samsung Semiconductor - K4B4G0846E-BMK0

KEY Part #: K7359679

[20829pcs ಸ್ಟಾಕ್]

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
    K4B4G0846E-BMK0
    ತಯಾರಕ:
    Samsung Semiconductor
    ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
    4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
    ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
    ಒಂದು ವರ್ಷ
    ನಿಂದ ಚಿಪ್:
    ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
    ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
    ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
    ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
    ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
    ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: LPDDR3, SLC Nand, DDR4, HBM Flarebolt, LPDDR4X, LPDDR5, GDDR5 and MODULE ...
    ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G0846E-BMK0 electronic components. K4B4G0846E-BMK0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G0846E-BMK0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G0846E-BMK0 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : K4B4G0846E-BMK0
    ತಯಾರಕ : Samsung Semiconductor
    ವಿವರಣೆ : 4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
    ಸರಣಿ : DDR3
    ಸಾಂದ್ರತೆ : 4 Gb
    ಆರ್ಗ್ಯಾನಿಕ್. : 512M x 8
    ಸ್ಪೀಡ್ : 1600 Mbps
    ವೋಲ್ಟೇಜ್ : 1.35 V
    ತಾಪ. : -40 ~ 95 °C
    ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 78FBGA
    ಉತ್ಪನ್ನ ಸ್ಥಿತಿ : Mass Production

    ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    The future of NAND technology
    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    Samsung Z-SSD SZ985
    How Will 5G Impact on Memory?
    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು