Samsung Semiconductor - K4B2G1646F-BCNB

KEY Part #: K7359659

[15955pcs ಸ್ಟಾಕ್]

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:: K4B2G1646F-BCNB

ತಯಾರಕ:: Samsung Semiconductor

ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:: 2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

Manufacturer's standard lead time:: ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ

ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:: ಒಂದು ವರ್ಷ

ನಿಂದ ಚಿಪ್:: ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್

ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:

ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:

ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:

ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:: ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: LPDDR4, LPDDR3, LPDDR5, HBM Aquabolt, MODULE, DDR4, LPDDR4X and HBM Flarebolt ...

ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:: We specialize in Samsung Semiconductor K4B2G1646F-BCNB electronic components. K4B2G1646F-BCNB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B2G1646F-BCNB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

K4B2G1646F-BCNB ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : K4B2G1646F-BCNB

ತಯಾರಕ : Samsung Semiconductor

ವಿವರಣೆ : 2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production

ಸರಣಿ : DDR3

ಸಾಂದ್ರತೆ : 2 Gb

ಆರ್ಗ್ಯಾನಿಕ್. : 128M x 16

ಸ್ಪೀಡ್ : 2133 Mbps

ವೋಲ್ಟೇಜ್ : 1.5 V

ತಾಪ. : 0 ~ 85 °C

ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 96FBGA

ಉತ್ಪನ್ನ ಸ್ಥಿತಿ : Mass Production

ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor

Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD

The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD

SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance

Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM

Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day

Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology

Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP

Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology

Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI

High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing

Inside the building blocks of the 5G future

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು

K3UH5H50AM-AGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.
K3UH5H50AM-EGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.
K3UH5H50AM-JGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.
K3UH6H60BM-AGCL

Samsung Semiconductor

48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.
K3UH6H60BM-EGCL

Samsung Semiconductor

48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.
K3UH7H70AM-AGCL

Samsung Semiconductor

64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು

English ಕನ್ನಡkannaḍa