ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
SI4923DY-T1-E3
ವಿವರಣೆ :
MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC
FET ಪ್ರಕಾರ :
2 P-Channel (Dual)
FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ :
Logic Level Gate
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ :
30V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ :
6.2A
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ :
21 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id :
3V @ 250µA
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ :
70nC @ 10V
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ :
-
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
8-SO