ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
SI4906DY-T1-E3
ವಿವರಣೆ :
MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
FET ಪ್ರಕಾರ :
2 N-Channel (Dual)
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ :
40V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ :
6.6A
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ :
39 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id :
2.2V @ 250µA
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ :
22nC @ 10V
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ :
625pF @ 20V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
8-SO