ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
IRF8513TRPBF
ತಯಾರಕ :
Infineon Technologies
ವಿವರಣೆ :
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
FET ಪ್ರಕಾರ :
2 N-Channel (Dual)
FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ :
Logic Level Gate
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ :
30V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ :
8A, 11A
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ :
15.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id :
2.35V @ 25µA
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ :
8.6nC @ 4.5V
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ :
766pF @ 15V
ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ :
1.5W, 2.4W
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
8-SO