ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
SSM6N42FE(TE85L,F)
ತಯಾರಕ :
Toshiba Semiconductor and Storage
ವಿವರಣೆ :
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
FET ಪ್ರಕಾರ :
2 N-Channel (Dual)
FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ :
Logic Level Gate
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ :
20V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ :
800mA
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ :
240 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id :
1V @ 1mA
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ :
2nC @ 4.5V
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ :
90pF @ 10V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ :
150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
SOT-563, SOT-666
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
ES6 (1.6x1.6)