Samsung Semiconductor - M471B5674EB0-YK0

KEY Part #: K7359967

[21953pcs ಸ್ಟಾಕ್]

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:: M471B5674EB0-YK0

ತಯಾರಕ:: Samsung Semiconductor

ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:: DDR3 SODIMM 2 GB 1R x 16 1600 Mbps 1.35 V 204 (256M x 16) x 4 EOL.

Manufacturer's standard lead time:: ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ

ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:: ಒಂದು ವರ್ಷ

ನಿಂದ ಚಿಪ್:: ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್

ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:

ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:

ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:

ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:: ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: LPDDR5, DDR4, MODULE, GDDR6, LPDDR3, LPDDR4X, HBM Aquabolt and LPDDR4 ...

ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:: We specialize in Samsung Semiconductor M471B5674EB0-YK0 electronic components. M471B5674EB0-YK0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for M471B5674EB0-YK0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

M471B5674EB0-YK0 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : M471B5674EB0-YK0

ತಯಾರಕ : Samsung Semiconductor

ವಿವರಣೆ : DDR3 SODIMM 2 GB 1R x 16 1600 Mbps 1.35 V 204 (256M x 16) x 4 EOL

ಸರಣಿ : DDR3

ಡಿಡಿಆರ್ : DDR3

DIMM ವಿಧ : SODIMM

ಸಾಂದ್ರತೆ : 2 GB

ಶ್ರೇಣಿ ಆರ್ಗ್ಯಾನಿಕ್ x. : 1R x 16

ಸ್ಪೀಡ್ : 1600 Mbps

ವೋಲ್ಟೇಜ್ : 1.35 V

ಪಿನ್ ಸಂಖ್ಯೆ : 204

ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ ಸಂಯೋಜನೆ : (256M x 16) x 4

ಉತ್ಪನ್ನ ಸ್ಥಿತಿ : EOL

ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters

Autonomous Driving and the Quest for Safety

Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD

Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI

Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)

How Will 5G Impact on Memory?

Samsung Z-SSD SZ985

Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM

Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones

[Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions

Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards

Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು

MZPJB800HMGC

Samsung Semiconductor

SZ985 PCIe Gen3 x4 HHHL 800 GB 3400 MB/s 3000 MB/s 750K IOPS 170K IOPS Mass Production.
MZILT1T9HAJQ

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 1.92 TB 2100 MB/s 1800 MB/s 440K IOPS 46K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZILT3T8HALS

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 3.84 TB 2100 MB/s 2000 MB/s 450K IOPS 58K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZILT7T6HMLA

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 7.68 TB 2100 MB/s 2000 MB/s 400K IOPS 70K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZILT960HAHQ

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 960 GB 2100 MB/s 1000 MB/s 350K IOPS 30K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZPLL12THMLA

Samsung Semiconductor

PM1725b PCIe Gen3 x8 HHHL 12.8 TB 6300 MB/s 3300 MB/s 940K IOPS 110K IOPS 3(5yrs) Mass Production.

ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು

English ಕನ್ನಡkannaḍa