Samsung Semiconductor - M393AAG40M3B-CYF

KEY Part #: K7359912

[16560pcs ಸ್ಟಾಕ್]

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:: M393AAG40M3B-CYF

ತಯಾರಕ:: Samsung Semiconductor

ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:: DDR4 RDIMM 128 GB 4R x 4 2933 Mbps 1.2 V 288 (3DS 2H 8G x 4) x 36 Sample.

Manufacturer's standard lead time:: ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ

ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:: ಒಂದು ವರ್ಷ

ನಿಂದ ಚಿಪ್:: ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್

ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:

ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:

ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:

ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:: ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: HBM Flarebolt, LPDDR5, HBM Aquabolt, LPDDR3, DDR3, MODULE, GDDR5 and LPDDR4 ...

ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:: We specialize in Samsung Semiconductor M393AAG40M3B-CYF electronic components. M393AAG40M3B-CYF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for M393AAG40M3B-CYF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

M393AAG40M3B-CYF ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : M393AAG40M3B-CYF

ತಯಾರಕ : Samsung Semiconductor

ವಿವರಣೆ : DDR4 RDIMM 128 GB 4R x 4 2933 Mbps 1.2 V 288 (3DS 2H 8G x 4) x 36 Sample

ಸರಣಿ : DDR3

ಡಿಡಿಆರ್ : DDR4

DIMM ವಿಧ : RDIMM

ಸಾಂದ್ರತೆ : 128 GB

ಶ್ರೇಣಿ ಆರ್ಗ್ಯಾನಿಕ್ x. : 4R x 4

ಸ್ಪೀಡ್ : 2933 Mbps

ವೋಲ್ಟೇಜ್ : 1.2 V

ಪಿನ್ ಸಂಖ್ಯೆ : 288

ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ ಸಂಯೋಜನೆ : (3DS 2H 8G x 4) x 36

ಉತ್ಪನ್ನ ಸ್ಥಿತಿ : Sample

ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

The future of NAND technology

5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living

Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology

Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started

Samsung Now Producing Industry’s Highest Density (3GB) LPDDR3 Mobile Memory for Smartphones

Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering

How Will 5G Impact on Memory?

Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM

Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018

NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters

Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing

Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು

MZPJB800HMGC

Samsung Semiconductor

SZ985 PCIe Gen3 x4 HHHL 800 GB 3400 MB/s 3000 MB/s 750K IOPS 170K IOPS Mass Production.
MZILT1T9HAJQ

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 1.92 TB 2100 MB/s 1800 MB/s 440K IOPS 46K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZILT3T8HALS

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 3.84 TB 2100 MB/s 2000 MB/s 450K IOPS 58K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZILT7T6HMLA

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 7.68 TB 2100 MB/s 2000 MB/s 400K IOPS 70K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZILT960HAHQ

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 960 GB 2100 MB/s 1000 MB/s 350K IOPS 30K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZPLL12THMLA

Samsung Semiconductor

PM1725b PCIe Gen3 x8 HHHL 12.8 TB 6300 MB/s 3300 MB/s 940K IOPS 110K IOPS 3(5yrs) Mass Production.

ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು

English ಕನ್ನಡkannaḍa