Microsemi Corporation - JANS1N3595US

KEY Part #: K6441508

ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:: ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಆರ್ಎಫ್, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಏಕೀಕರಣ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳು, ಪೂ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಸೇತುವೆ ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು and ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಸ್ - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು ...

ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:: We specialize in Microsemi Corporation JANS1N3595US electronic components. JANS1N3595US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANS1N3595US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : JANS1N3595US

ತಯಾರಕ : Microsemi Corporation

ವಿವರಣೆ : DIODE GEN PURP 200MA DO35

ಸರಣಿ : Military, MIL-S-19500-241

ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ : Standard

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ) : -

ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) : 200mA (DC)

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ : 1V @ 200mA

ವೇಗ : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr) : 3µs

ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr : 1nA @ 125V

ಸಾಮರ್ಥ್ಯ @ ವಿಆರ್, ಎಫ್ : -

ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount

ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : SQ-MELF, B

ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : B, SQ-MELF

ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ತಾಪಮಾನ - ಜಂಕ್ಷನ್ : -65°C ~ 150°C

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು

CDBDSC8650-G

Comchip Technology

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V
CDBDSC10650-G

Comchip Technology

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V
VS-8EWS10STRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.
VS-8EWS10STRRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.
MBRB10H90CTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 90V 5A TO263AB.
MBRB10H90HE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO263AB.

ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು