1N6484HE3/96 ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [665064pcs ಸ್ಟಾಕ್]
- 1 pcs$0.05562
- 6,000 pcs$0.05085
- ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
- 1N6484HE3/96
- ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
- ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
- ಒಂದು ವರ್ಷ
- ನಿಂದ ಚಿಪ್:
- ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
- ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
- ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
-
- ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
- ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
- ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಆರ್ಎಫ್, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಪೂರ್ವ , ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಜೆಎಫ್‌ಇಟಿಗಳು, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಗಳು - TRIAC ಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ವೇರಿಯಬಲ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ವರಿಕಾಪ್ಸ್, ವರಕ್ಟ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಅರೇಗಳು and ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಅರೇಗಳು ...
- ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6484HE3/96 electronic components. 1N6484HE3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6484HE3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N6484HE3/96 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
1N6484HE3/96
ತಯಾರಕ :
Vishay Semiconductor Diodes Division
ವಿವರಣೆ :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
ಸರಣಿ :
SUPERECTIFIER®
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ :
Active
ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ :
Standard
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ) :
1000V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) :
1A
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ :
1.1V @ 1A
ವೇಗ :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr) :
-
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr :
10µA @ 1000V
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ @ ವಿಆರ್, ಎಫ್ :
8pF @ 4V, 1MHz
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
DO-213AB, MELF (Glass)
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
DO-213AB
ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ತಾಪಮಾನ - ಜಂಕ್ಷನ್ :
-65°C ~ 175°C
ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ
ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
GL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34AHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34DHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34JHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34GHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು
- CR5F-120 BK
- IRD3CH11DF6
- FR306TA
- CMSH1-100 BK
- JANTX1N6624U
- JAN1N6622US
- VS-30BQ100GPBF
- DSB3A40
- HS247180R
- UF5A400D1
- RD0106T-H
- UGF15HT-E3/45
- UF1506S-B
- MBRH20045L
- 1N1203BR
- GP10AHE3/54
- MBR1040
- STPS1545R
- MBRD360
- MA2C700A0F
- STTH3L06B-TR
- BYW80-200
- MBRB1045TRL
- 1N6542
- SD233N36S50PSC
- 6TQ045S
- 1N6549
- ES1J-TP
- FS2B-TP
- R2500-TP
- FR203-TP
- 1N4935-TP
- FR503-AP
- RS 1AV
- ES3G R7G
- RB160M-50TR
- MURS360SHE3_A/H
- SE20PDHM3/85A
- GP10-4007-E3/54
- BAS4002LE6327XTMA1
选择你的位置