ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR

KEY Part #: K939882

ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:: IC PSRAM 64M PARALLEL 48BGA. SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:: ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಗಡಿಯಾರ / ಸಮಯ - ವಿಳಂಬ ರೇಖೆಗಳು, ತರ್ಕ - ಬಫರ್‌ಗಳು, ಚಾಲಕರು, ಸ್ವೀಕರಿಸುವವರು, ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಸ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಲೈಟಿಂಗ್, ನಿಲುಭಾರ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ಡೇಟಾ ಸ್ವಾಧೀನ - ಡಿಜಿಟಲ್ ಟು ಅನಲಾಗ್ ಪರಿವರ್ತಕಗಳು (ಡಿಎಸ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕರು - ಲೀನಿಯರ್ ರೆಗ್ಯುಲೇಟರ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಗೇಟ್ ಚಾಲಕರು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಎನರ್ಜಿ ಮೀಟರಿಂಗ್ and ಆಡಿಯೋ ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ ...

ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR electronic components. IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR

ತಯಾರಕ : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ವಿವರಣೆ : IC PSRAM 64M PARALLEL 48BGA

ಸರಣಿ : -

ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active

ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Volatile

ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : PSRAM

ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : PSRAM (Pseudo SRAM)

ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 64Mb (4M x 16)

ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : -

ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : 70ns

ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 70ns

ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 2.7V ~ 3.6V

ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 85°C (TA)

ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount

ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 48-TFBGA

ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 48-TFBGA (6x8)

Silicom MinnowBoard Turbot

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು

MB85AS4MTPF-G-BCERE1

Fujitsu Electronics America, Inc.

IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.
R1LP5256ESP-5SI#B0

Renesas Electronics America

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM SRAM SRAM LP(256K) 256K LP
R1LV5256ESP-5SI#B0

Renesas Electronics America

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube
71256SA25TPGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
W25M512JVFIQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector
W949D2DBJX5I

Winbond Electronics

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz, Industrial Temp, 46nm

ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು