Winbond Electronics - W949D2DBJX5I

KEY Part #: K939791

W949D2DBJX5I ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [26867pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$2.13739

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
W949D2DBJX5I
ತಯಾರಕ:
Winbond Electronics
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz, Industrial Temp, 46nm
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಪಿಎಂಐಸಿ - ಅಥವಾ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ಐಡಿಯಲ್ ಡಯೋಡ್‌ಗಳು, ವಿಶೇಷ ಐಸಿಗಳು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಹಾಟ್ ಸ್ವಾಪ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ಮಾನಿಟರ್‌ಗಳ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕರು - ಡಿಸಿ ಡಿಸಿ ಸ್ವಿಚಿಂಗ, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಸಂವೇದಕ ಮತ್ತು ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ಗಳು and ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಸಂವೇದಕ, ಕೆಪ್ಯಾಸಿಟಿವ್ ಟಚ್ ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Winbond Electronics W949D2DBJX5I electronic components. W949D2DBJX5I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W949D2DBJX5I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W949D2DBJX5I ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : W949D2DBJX5I
ತಯಾರಕ : Winbond Electronics
ವಿವರಣೆ : IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : DRAM
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : SDRAM - Mobile LPDDR
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 512Mb (16M x 32)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 200MHz
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : 15ns
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 5ns
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 1.7V ~ 1.95V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 85°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 90-TFBGA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 90-VFBGA (8x13)

ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • R1LP5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM SRAM SRAM LP(256K) 256K LP

  • R1LV5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube