Samsung Semiconductor - K4A8G165WB-BCTD

KEY Part #: K7359608

[25398pcs ಸ್ಟಾಕ್]

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:: K4A8G165WB-BCTD

ತಯಾರಕ:: Samsung Semiconductor

ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:: 8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

Manufacturer's standard lead time:: ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ

ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:: ಒಂದು ವರ್ಷ

ನಿಂದ ಚಿಪ್:: ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್

ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:

ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:

ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:

ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:: ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: DDR4, SLC Nand, LPDDR4X, GDDR6, LPDDR5, LPDDR4, HBM Flarebolt and GDDR5 ...

ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:: We specialize in Samsung Semiconductor K4A8G165WB-BCTD electronic components. K4A8G165WB-BCTD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A8G165WB-BCTD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

K4A8G165WB-BCTD ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : K4A8G165WB-BCTD

ತಯಾರಕ : Samsung Semiconductor

ವಿವರಣೆ : 8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production

ಸರಣಿ : DDR4

ಸಾಂದ್ರತೆ : 8 Gb

ಆರ್ಗ್ಯಾನಿಕ್. : 512M x 16

ಸ್ಪೀಡ್ : 2666 Mbps

ವೋಲ್ಟೇಜ್ : 1.2 V

ತಾಪ. : 0 ~ 85 °C

ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 96FBGA

ಉತ್ಪನ್ನ ಸ್ಥಿತಿ : Mass Production

ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering

Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)

Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology

Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing

Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards

Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP

Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology

[Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.

Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification

Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology

Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM

SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು

KHA844801X-MC12

Samsung Semiconductor

4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.
KHA844801X-MC13

Samsung Semiconductor

4 Gb 1024 2.4 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.
K4A4G085WE-BIRC

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.
K4ABG165WA-MCWE

Samsung Semiconductor

32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.
K4A4G085WE-BITD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
K4A4G085WF-BCTD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು

English ಕನ್ನಡkannaḍa