Samsung Semiconductor - K4A8G085WC-BIWE

KEY Part #: K7359605

[14142pcs ಸ್ಟಾಕ್]


    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
    K4A8G085WC-BIWE
    ತಯಾರಕ:
    Samsung Semiconductor
    ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
    8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
    ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
    ಒಂದು ವರ್ಷ
    ನಿಂದ ಚಿಪ್:
    ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
    ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
    ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
    ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
    ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
    ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: GDDR6, LPDDR3, LPDDR4X, HBM Aquabolt, LPDDR5, SLC Nand, DDR3 and MODULE ...
    ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
    ನಾವು ಸಿ 1 ಸಿ 2 ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಘಟಕಗಳಲ್ಲಿ ಪರಿಣತಿ ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ. ಆದೇಶದ ನಂತರ 24 ಗಂಟೆಗಳ ಒಳಗೆ ಸಿ 2 ಅನ್ನು ರವಾನಿಸಬಹುದು. ನೀವು ಸಿ 2 ಗಾಗಿ ಯಾವುದೇ ಬೇಡಿಕೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದರೆ, ದಯವಿಟ್ಟು ಉದ್ಧರಣಕ್ಕಾಗಿ ವಿನಂತಿಯನ್ನು ಇಲ್ಲಿ ಸಲ್ಲಿಸಿ ಅಥವಾ ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ: info@key-components.com

    K4A8G085WC-BIWE ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : K4A8G085WC-BIWE
    ತಯಾರಕ : Samsung Semiconductor
    ವಿವರಣೆ : 8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
    ಸರಣಿ : DDR4
    ಸಾಂದ್ರತೆ : 8 Gb
    ಆರ್ಗ್ಯಾನಿಕ್. : 1G x 8
    ಸ್ಪೀಡ್ : 3200 Mbps
    ವೋಲ್ಟೇಜ್ : 1.2 V
    ತಾಪ. : -40 ~ 95 °C
    ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 78FBGA
    ಉತ್ಪನ್ನ ಸ್ಥಿತಿ : Mass Production

    ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.