Alliance Memory, Inc. - AS4C64M16D3B-12BAN

KEY Part #: K937163

AS4C64M16D3B-12BAN ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [16070pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$2.85133

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
AS4C64M16D3B-12BAN
ತಯಾರಕ:
Alliance Memory, Inc.
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA. DRAM 1G 1.5V 800MHz 64Mx16 DDR3 A-Temp
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಸಿಗ್ನಲ್ ಟರ್ಮಿನೇಟರ್ಗಳು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪೂರ್ಣ, ಅರ್ಧ ಸೇತುವೆ ಚಾಲಕರು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಎಸಿ ಡಿಸಿ ಪರಿವರ್ತಕಗಳು, ಆಫ್‌ಲೈನ್ ಸ್ವಿಚರ್‌ಗ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪ್ರದರ್ಶನ ಚಾಲಕರು, ತರ್ಕ - ಶಿಫ್ಟ್ ರೆಜಿಸ್ಟರ್, ತರ್ಕ - ಪ್ಯಾರಿಟಿ ಜನರೇಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಚೆಕ್ಕರ್‌ಗಳು, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಕೋಡೆಕ್ಗಳು and ಗಡಿಯಾರ / ಸಮಯ - ರಿಯಲ್ ಟೈಮ್ ಗಡಿಯಾರಗಳು ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3B-12BAN electronic components. AS4C64M16D3B-12BAN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C64M16D3B-12BAN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M16D3B-12BAN ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : AS4C64M16D3B-12BAN
ತಯಾರಕ : Alliance Memory, Inc.
ವಿವರಣೆ : IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : DRAM
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : SDRAM - DDR3
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 1Gb (64M x 16)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 800MHz
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : 15ns
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 20ns
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 1.425V ~ 1.575V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 105°C (TC)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 96-TFBGA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 96-FBGA (13x9)

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • MR25H256CDC

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM

  • MB85RS2MTPF-G-JNERE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 25MHZ 8SOP.

  • AT28HC256-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256E-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • W9825G2JB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, Ind Temp T&R

  • TC58NYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)