IDT, Integrated Device Technology Inc - IDT71V35761YSA183BQI

KEY Part #: K929548

[11240pcs ಸ್ಟಾಕ್]


    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
    IDT71V35761YSA183BQI
    ತಯಾರಕ:
    IDT, Integrated Device Technology Inc
    ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA.
    Manufacturer's standard lead time:
    ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
    ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
    ಒಂದು ವರ್ಷ
    ನಿಂದ ಚಿಪ್:
    ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
    ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
    ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
    ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
    ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
    ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಪಿಎಂಐಸಿ - ಹಾಟ್ ಸ್ವಾಪ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಡೈರೆಕ್ಟ್ ಡಿಜಿಟಲ್ ಸಿಂಥೆಸಿಸ್ (ಡಿಡಿಎಸ್), ಮೆಮೊರಿ - ಬ್ಯಾಟರಿಗಳು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಗೇಟ್ ಚಾಲಕರು, ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಮೈಕ್ರೊಕಂಟ್ರೋಲರ್‌ಗಳು, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - UART ಗಳು (ಯುನಿವರ್ಸಲ್ ಅಸಿಂಕ್ರೋನಸ್ ರಿಸೀವ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಲೇಸರ್ ಚಾಲಕರು and ಡೇಟಾ ಸ್ವಾಧೀನ - ಡಿಜಿಟಲ್ ಪೊಟೆನ್ಟಿಯೊಮೀಟರ್ ...
    ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
    We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc IDT71V35761YSA183BQI electronic components. IDT71V35761YSA183BQI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDT71V35761YSA183BQI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IDT71V35761YSA183BQI ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : IDT71V35761YSA183BQI
    ತಯಾರಕ : IDT, Integrated Device Technology Inc
    ವಿವರಣೆ : IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
    ಸರಣಿ : -
    ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Obsolete
    ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Volatile
    ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : SRAM
    ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : SRAM - Synchronous
    ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 4.5Mb (128K x 36)
    ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 183MHz
    ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : -
    ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 3.3ns
    ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
    ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 3.135V ~ 3.465V
    ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 85°C (TA)
    ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
    ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 165-TBGA
    ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 165-CABGA (13x15)
    ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
    • FT93C46A-ITR-T

      Fremont Micro Devices Ltd

      IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8TSSOP.

    • TH58NYG3S0HBAI4

      Toshiba Memory America, Inc.

      8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

    • M93S56-WMN6T

      STMicroelectronics

      IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SO.

    • M95020-RMB6TG

      STMicroelectronics

      IC EEPROM 2K SPI 20MHZ 8UFDFPN.

    • BR93L66FJ-WE2

      Rohm Semiconductor

      IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOPJ. EEPROM McrWre BUS 3-Wre 4K SOP-J8 EEPROM

    • RMLV0816BGBG-4S2#AC0

      Renesas Electronics America

      IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA. SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 FBGA48, 45ns, WTR