Vishay Semiconductor Diodes Division - AS3PJHM3/87A

KEY Part #: K6446614

[7270pcs ಸ್ಟಾಕ್]


    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
    AS3PJHM3/87A
    ತಯಾರಕ:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
    DIODE AVALANCHE 600V 2.1A TO277A.
    Manufacturer's standard lead time:
    ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
    ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
    ಒಂದು ವರ್ಷ
    ನಿಂದ ಚಿಪ್:
    ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
    ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
    ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
    ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
    ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
    ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಆರ್ಎಫ್, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ, ಪವರ್ ಡ್ರೈವರ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಗಳು - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು - ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಸ್ - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು and ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - RF ...
    ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division AS3PJHM3/87A electronic components. AS3PJHM3/87A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS3PJHM3/87A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    AS3PJHM3/87A ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : AS3PJHM3/87A
    ತಯಾರಕ : Vishay Semiconductor Diodes Division
    ವಿವರಣೆ : DIODE AVALANCHE 600V 2.1A TO277A
    ಸರಣಿ : eSMP®
    ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Discontinued at Digi-Key
    ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ : Avalanche
    ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ) : 600V
    ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) : 2.1A (DC)
    ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ : 920mV @ 1.5A
    ವೇಗ : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr) : 1.2µs
    ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr : 10µA @ 600V
    ಸಾಮರ್ಥ್ಯ @ ವಿಆರ್, ಎಫ್ : 37pF @ 4V, 1MHz
    ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
    ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : TO-277, 3-PowerDFN
    ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : TO-277A (SMPC)
    ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ತಾಪಮಾನ - ಜಂಕ್ಷನ್ : -55°C ~ 175°C

    ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
    • BAT54-D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

    • IDB18E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

    • VS-50WQ10FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ04FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK.

    • VS-30CPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.

    • VS-80EPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.