Toshiba Memory America, Inc. - TH58NVG3S0HBAI4

KEY Part #: K924477

TH58NVG3S0HBAI4 ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [8571pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$5.34569

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
TH58NVG3S0HBAI4
ತಯಾರಕ:
Toshiba Memory America, Inc.
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಗಡಿಯಾರ / ಸಮಯ - ಗಡಿಯಾರ ಜನರೇಟರ್‌ಗಳು, ಪಿಎಲ್‌ಎಲ್‌ಗಳು, , ಪಿಎಂಐಸಿ - ಲೇಸರ್ ಚಾಲಕರು, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಮೋಡೆಮ್ಗಳು - ಐಸಿಗಳು ಮತ್ತು ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು, ತರ್ಕ - ಅನುವಾದಕರು, ಮಟ್ಟದ ವರ್ಗಾವಣೆದಾರರು, ತರ್ಕ - ಪ್ಯಾರಿಟಿ ಜನರೇಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಚೆಕ್ಕರ್‌ಗಳು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಎನರ್ಜಿ ಮೀಟರಿಂಗ್, ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಮೈಕ್ರೊಕಂಟ್ರೋಲರ್‌ಗಳು and ಗಡಿಯಾರ / ಸಮಯ - ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಟೈಮರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಆಂದೋಲ ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58NVG3S0HBAI4 electronic components. TH58NVG3S0HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58NVG3S0HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58NVG3S0HBAI4 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : TH58NVG3S0HBAI4
ತಯಾರಕ : Toshiba Memory America, Inc.
ವಿವರಣೆ : 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Non-Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : FLASH
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : FLASH - NAND (SLC)
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 8Gb (1G x 8)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : -
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : 25ns
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 25ns
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 2.7V ~ 3.6V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 85°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 63-VFBGA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 63-TFBGA (9x11)

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • AT25020A-10TU-1.8-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 2K SPI 20MHZ 8TSSOP.

  • AT25010A-10TU-2.7-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1K SPI 20MHZ 8TSSOP.

  • AT25040A-10TU-2.7-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 4K SPI 20MHZ 8TSSOP.

  • AT88SC1616C-PU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 16K I2C 5MHZ 8DIP. EEPROM CRYPTOMEMORY 16kB 16 ZONE - 8 IND TEMP

  • AT88SC0808C-PU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 8K I2C 5MHZ 8DIP.

  • TH58NVG3S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)