Micron Technology Inc. - MT25QL02GCBB8E12-0AAT

KEY Part #: K915911

MT25QL02GCBB8E12-0AAT ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [5309pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$9.07234

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
MT25QL02GCBB8E12-0AAT
ತಯಾರಕ:
Micron Technology Inc.
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA. NOR Flash SPI FLASH NOR SLC 512MX4 TBGA QDP
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪಿಎಫ್‌ಸಿ (ಪವರ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ ತಿದ್ದುಪಡಿ), ಪಿಎಂಐಸಿ - ಬ್ಯಾಟರಿ ನಿರ್ವಹಣೆ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಮೇಲ್ವಿಚಾರಕರು, ಲೀನಿಯರ್ - ಹೋಲಿಕೆದಾರರು, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಡೈರೆಕ್ಟ್ ಡಿಜಿಟಲ್ ಸಿಂಥೆಸಿಸ್ (ಡಿಡಿಎಸ್), ಪಿಎಂಐಸಿ - ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕರು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು - ಡಿಸಿ ಡಿಸಿ ಸ್ವಿಚಿಂ and ತರ್ಕ - ಹೋಲಿಕೆದಾರರು ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Micron Technology Inc. MT25QL02GCBB8E12-0AAT electronic components. MT25QL02GCBB8E12-0AAT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT25QL02GCBB8E12-0AAT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT25QL02GCBB8E12-0AAT ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : MT25QL02GCBB8E12-0AAT
ತಯಾರಕ : Micron Technology Inc.
ವಿವರಣೆ : IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
ಸರಣಿ : Automotive, AEC-Q100
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Non-Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : FLASH
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : FLASH - NOR
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 2Gb (256M x 8)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 133MHz
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : 8ms, 2.8ms
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : -
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : SPI
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 2.7V ~ 3.6V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 105°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 24-TBGA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 24-T-PBGA (6x8)

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • IS61LPD51236A-250B3LI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA. SRAM 18M (512Kx36) 250MHz Sync SRAM 3.3v

  • W25Q257FVFIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

  • W25Q257FVFIG TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

  • MT41K512M16HA-107 IT:A

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ. DRAM 8G - monolithic die 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 96-ball FBGA

  • MT41K512M16HA-107G:A

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ.

  • MT52L256M32D1PF-093 WT:B TR

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 8G 1067MHZ FBGA.