Toshiba Memory America, Inc. - TC58NYG1S3HBAI6

KEY Part #: K939718

TC58NYG1S3HBAI6 ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [26323pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$1.26922
  • 10 pcs$1.08162
  • 25 pcs$1.06432
  • 50 pcs$1.06156
  • 100 pcs$0.94850
  • 250 pcs$0.91770

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
TC58NYG1S3HBAI6
ತಯಾರಕ:
Toshiba Memory America, Inc.
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಲೀನಿಯರ್ - ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ಗಳು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಲೇಸರ್ ಚಾಲಕರು, ತರ್ಕ - ಫ್ಲಿಪ್ ಫ್ಲಾಪ್ಗಳು, ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಪಿಎಲ್‌ಡಿಗಳು (ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಲಾಜಿಕ್ ಸಾಧನ), ಪಿಎಂಐಸಿ - ಡಿಸಿ ಪರಿವರ್ತಕಗಳಿಗೆ ಆರ್ಎಂಎಸ್, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಅನಲಾಗ್ ಸ್ವಿಚ್‌ಗಳು, ಮಲ್ಟಿಪ್ಲೆಕ್ಸರ್‌ಗಳು,, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪ್ರದರ್ಶನ ಚಾಲಕರು and ಪಿಎಂಐಸಿ - ಮೋಟಾರ್ ಚಾಲಕರು, ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG1S3HBAI6 electronic components. TC58NYG1S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58NYG1S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NYG1S3HBAI6 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : TC58NYG1S3HBAI6
ತಯಾರಕ : Toshiba Memory America, Inc.
ವಿವರಣೆ : IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Non-Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : FLASH
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : FLASH - NAND (SLC)
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 2Gb (256M x 8)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : -
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : 25ns
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 25ns
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 1.7V ~ 1.95V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 85°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 67-VFBGA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 67-VFBGA (6.5x8)

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • 6116LA25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM