IXYS - IXFM67N10

KEY Part #: K6400904

[3236pcs ಸ್ಟಾಕ್]


    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
    IXFM67N10
    ತಯಾರಕ:
    IXYS
    ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
    POWER MOSFET TO-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
    ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
    ಒಂದು ವರ್ಷ
    ನಿಂದ ಚಿಪ್:
    ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
    ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
    ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
    ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
    ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
    ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಡಿಐಎಸಿಗಳು, ಎಸ್‌ಐಡಿಎಸಿಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳು, ಪೂ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಸೇತುವೆ ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಅರೇಗಳು and ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಗಳು - TRIAC ಗಳು ...
    ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
    We specialize in IXYS IXFM67N10 electronic components. IXFM67N10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFM67N10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFM67N10 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : IXFM67N10
    ತಯಾರಕ : IXYS
    ವಿವರಣೆ : POWER MOSFET TO-3
    ಸರಣಿ : HiPerFET™
    ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Last Time Buy
    FET ಪ್ರಕಾರ : N-Channel
    ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : MOSFET (Metal Oxide)
    ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ : 100V
    ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ : 67A (Tc)
    ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಮ್ಯಾಕ್ಸ್ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್) : 10V
    ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ : 25 mOhm @ 33.5A, 10V
    Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id : 4V @ 4mA
    ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ : 260nC @ 10V
    Vgs (ಗರಿಷ್ಠ) : ±20V
    ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ : 4500pF @ 25V
    FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ : -
    ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ (ಗರಿಷ್ಠ) : 300W (Tc)
    ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Through Hole
    ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : TO-204AE
    ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : TO-204AE

    ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು