Vishay Siliconix - SI5947DU-T1-GE3

KEY Part #: K6524081

[3950pcs ಸ್ಟಾಕ್]


    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
    SI5947DU-T1-GE3
    ತಯಾರಕ:
    Vishay Siliconix
    ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
    MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET.
    Manufacturer's standard lead time:
    ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
    ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
    ಒಂದು ವರ್ಷ
    ನಿಂದ ಚಿಪ್:
    ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
    ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
    ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
    ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
    ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
    ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಸೇತುವೆ ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಗಳು - TRIAC ಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಜೆಎಫ್‌ಇಟಿಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - RF and ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಡಿಐಎಸಿಗಳು, ಎಸ್‌ಐಡಿಎಸಿಗಳು ...
    ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
    We specialize in Vishay Siliconix SI5947DU-T1-GE3 electronic components. SI5947DU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5947DU-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5947DU-T1-GE3 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : SI5947DU-T1-GE3
    ತಯಾರಕ : Vishay Siliconix
    ವಿವರಣೆ : MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
    ಸರಣಿ : TrenchFET®
    ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Obsolete
    FET ಪ್ರಕಾರ : 2 P-Channel (Dual)
    FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ : Logic Level Gate
    ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ : 20V
    ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ : 6A
    ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ : 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V
    Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id : 1.5V @ 250µA
    ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ : 17nC @ 10V
    ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ : 480pF @ 10V
    ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ : 10.4W
    ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
    ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : PowerPAK® ChipFET™ Dual
    ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : PowerPAK® ChipFet Dual

    ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು