NXP USA Inc. - A2T27S020GNR1

KEY Part #: K6465930

A2T27S020GNR1 ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [4988pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$8.68531

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
A2T27S020GNR1
ತಯಾರಕ:
NXP USA Inc.
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ವೇರಿಯಬಲ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ವರಿಕಾಪ್ಸ್, ವರಕ್ಟ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಜೆಎಫ್‌ಇಟಿಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಏಕೀಕರಣ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಅರೇಗಳು, ಪವರ್ ಡ್ರೈವರ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳು and ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in NXP USA Inc. A2T27S020GNR1 electronic components. A2T27S020GNR1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for A2T27S020GNR1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

A2T27S020GNR1 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : A2T27S020GNR1
ತಯಾರಕ : NXP USA Inc.
ವಿವರಣೆ : AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ : LDMOS
ಆವರ್ತನ : 400MHz ~ 2.7GHz
ಗಳಿಕೆ : 21dB
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ : 28V
ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್ : 10µA
ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ : -
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಪರೀಕ್ಷೆ : 185mA
ಶಕ್ತಿ - put ಟ್‌ಪುಟ್ : 20W
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ : 65V
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : TO-270BA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : TO-270-2 GULL

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • MMBF5484

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 5MA SOT23.

  • AFM906NT1

    NXP USA Inc.

    WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.

  • A2T27S007NT1

    NXP USA Inc.

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.