Samsung Semiconductor - KLUCG4J1ED-B0C1

KEY Part #: K7360015

[14362pcs ಸ್ಟಾಕ್]

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:: KLUCG4J1ED-B0C1

ತಯಾರಕ:: Samsung Semiconductor

ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:: UFS 2.1 64 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production.

Manufacturer's standard lead time:: ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ

ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:: ಒಂದು ವರ್ಷ

ನಿಂದ ಚಿಪ್:: ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್

ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:

ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:

ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:

ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:: ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: LPDDR4, LPDDR5, HBM Flarebolt, GDDR5, SLC Nand, LPDDR3, HBM Aquabolt and DDR3 ...

ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:: We specialize in Samsung Semiconductor KLUCG4J1ED-B0C1 electronic components. KLUCG4J1ED-B0C1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for KLUCG4J1ED-B0C1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

KLUCG4J1ED-B0C1 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : KLUCG4J1ED-B0C1

ತಯಾರಕ : Samsung Semiconductor

ವಿವರಣೆ : UFS 2.1 64 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production

ಸರಣಿ : DDR3

ಆವೃತ್ತಿ : UFS 2.1

ಸಾಂದ್ರತೆ : 64 GB

ವೋಲ್ಟೇಜ್ : 1.8 / 3.3 V

ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : G3 2Lane

ಪ್ಯಾಕೇಜ್ ಗಾತ್ರ : 11.5 x 13 x 1.0 mm

ತಾಪ. : -25 ~ 85 °C

ಉತ್ಪನ್ನ ಸ್ಥಿತಿ : Mass Production

ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology

SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance

Speed for the next generation of mobile devices

Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package

Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018

[Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.

Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing

Samsung Z-SSD SZ985

Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD

Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)

Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology

Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು

MZPJB800HMGC

Samsung Semiconductor

SZ985 PCIe Gen3 x4 HHHL 800 GB 3400 MB/s 3000 MB/s 750K IOPS 170K IOPS Mass Production.
MZILT1T9HAJQ

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 1.92 TB 2100 MB/s 1800 MB/s 440K IOPS 46K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZILT3T8HALS

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 3.84 TB 2100 MB/s 2000 MB/s 450K IOPS 58K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZILT7T6HMLA

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 7.68 TB 2100 MB/s 2000 MB/s 400K IOPS 70K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZILT960HAHQ

Samsung Semiconductor

PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 960 GB 2100 MB/s 1000 MB/s 350K IOPS 30K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
MZPLL12THMLA

Samsung Semiconductor

PM1725b PCIe Gen3 x8 HHHL 12.8 TB 6300 MB/s 3300 MB/s 940K IOPS 110K IOPS 3(5yrs) Mass Production.

ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು

English ಕನ್ನಡkannaḍa