UGB8JTHE3/45 ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [115017pcs ಸ್ಟಾಕ್]
- 1 pcs$0.32158
- 1,000 pcs$0.29277
- ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
- UGB8JTHE3/45
- ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 600 Volt 25ns 65 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
- ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
- ಒಂದು ವರ್ಷ
- ನಿಂದ ಚಿಪ್:
- ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
- ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
- ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
-
- ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
- ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
- ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಏಕ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಗಳು - TRIAC ಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಏಕ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ವೇರಿಯಬಲ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ವರಿಕಾಪ್ಸ್, ವರಕ್ಟ and ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಗಳು - ಡಿಐಎಸಿಗಳು, ಎಸ್‌ಐಡಿಎಸಿಗಳು ...
- ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGB8JTHE3/45 electronic components. UGB8JTHE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGB8JTHE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UGB8JTHE3/45 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
UGB8JTHE3/45
ತಯಾರಕ :
Vishay Semiconductor Diodes Division
ವಿವರಣೆ :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
ಸರಣಿ :
-
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ :
Active
ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ :
Standard
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ) :
600V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) :
8A
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ :
1.75V @ 8A
ವೇಗ :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr) :
50ns
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr :
30µA @ 600V
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ @ ವಿಆರ್, ಎಫ್ :
-
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
TO-263AB
ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ತಾಪಮಾನ - ಜಂಕ್ಷನ್ :
-55°C ~ 150°C
ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ
ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
-
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
-
FESB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 35ns Single
-
BYWB29-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
-
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
-
BYWB29-50HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18
选择你的位置