IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V3577S80BG8

KEY Part #: K938565

71V3577S80BG8 ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [20957pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$2.19735
  • 1,000 pcs$2.18642

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
71V3577S80BG8
ತಯಾರಕ:
IDT, Integrated Device Technology Inc
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V FLOW-THROUGH SRAM
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪೂರ್ಣ, ಅರ್ಧ ಸೇತುವೆ ಚಾಲಕರು, ಡೇಟಾ ಸ್ವಾಧೀನ - ಟಚ್ ಸ್ಕ್ರೀನ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಸಿಗ್ನಲ್ ಬಫರ್‌ಗಳು, ರಿಪೀಟರ್‌ಗಳು, ಸ್ಪ್ಲಿಟ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಮೋಟಾರ್ ಚಾಲಕರು, ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು - ಲೀನಿಯರ್, ತರ್ಕ - ಕೌಂಟರ್‌ಗಳು, ವಿಭಾಜಕಗಳು, ತರ್ಕ - ಅನುವಾದಕರು, ಮಟ್ಟದ ವರ್ಗಾವಣೆದಾರರು and ತರ್ಕ - ಯುನಿವರ್ಸಲ್ ಬಸ್ ಕಾರ್ಯಗಳು ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S80BG8 electronic components. 71V3577S80BG8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 71V3577S80BG8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

71V3577S80BG8 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : 71V3577S80BG8
ತಯಾರಕ : IDT, Integrated Device Technology Inc
ವಿವರಣೆ : IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : SRAM
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : SRAM - Synchronous
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 4.5Mb (128K x 36)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 100MHz
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : -
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 8ns
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 3.135V ~ 3.465V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : 0°C ~ 70°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 119-BGA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 119-PBGA (14x22)
ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • AT28HC64BF-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • AT28HC64B-90SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 90NS IND TEMP

  • AT28HC64B-70SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM PRLLEL EEPROM 64K 8K 70NS SOIC IND TMP GR

  • W9825G2JB-75 TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz, T&R

  • W9825G2JB-6 TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, T&R

  • EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA.