Vishay Siliconix - SQJ412EP-T1_GE3

KEY Part #: K6418722

SQJ412EP-T1_GE3 ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [74217pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$0.52684
  • 3,000 pcs$0.44424

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
SQJ412EP-T1_GE3
ತಯಾರಕ:
Vishay Siliconix
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ವೇರಿಯಬಲ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ವರಿಕಾಪ್ಸ್, ವರಕ್ಟ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಆರ್ಎಫ್, ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಡಿಐಎಸಿಗಳು, ಎಸ್‌ಐಡಿಎಸಿಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಏಕ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ and ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಅರೇಗಳು ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ412EP-T1_GE3 electronic components. SQJ412EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ412EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ412EP-T1_GE3 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : SQJ412EP-T1_GE3
ತಯಾರಕ : Vishay Siliconix
ವಿವರಣೆ : MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
ಸರಣಿ : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
FET ಪ್ರಕಾರ : N-Channel
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : MOSFET (Metal Oxide)
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ : 40V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ : 32A (Tc)
ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಮ್ಯಾಕ್ಸ್ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್) : 4.5V, 10V
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ : 4.1 mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id : 2.5V @ 250µA
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ : 120nC @ 10V
Vgs (ಗರಿಷ್ಠ) : ±20V
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ : 5950pF @ 20V
FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ : -
ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ (ಗರಿಷ್ಠ) : 83W (Tc)
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -55°C ~ 175°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : PowerPAK® SO-8
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : PowerPAK® SO-8

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IRFIB41N15DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP.

  • SPA06N60C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220.