ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
SI4056DY-T1-GE3
ವಿವರಣೆ :
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ :
MOSFET (Metal Oxide)
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ :
100V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ :
11.1A (Tc)
ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಮ್ಯಾಕ್ಸ್ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್) :
4.5V, 10V
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ :
23 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id :
2.8V @ 250µA
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ :
29.5nC @ 10V
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ :
900pF @ 50V
ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ (ಗರಿಷ್ಠ) :
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Surface Mount
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
8-SO
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)