Microsemi Corporation - JANTXV1N5802URS

KEY Part #: K6446641

ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:: ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಏಕೀಕರಣ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಪೂರ್ವ , ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳು, ಪೂ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಆರ್ಎಫ್ and ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಅರೇಗಳು ...

ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5802URS electronic components. JANTXV1N5802URS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5802URS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : JANTXV1N5802URS

ತಯಾರಕ : Microsemi Corporation

ವಿವರಣೆ : DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

ಸರಣಿ : Military, MIL-PRF-19500/477

ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ : Standard

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ) : 50V

ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) : 1A

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ : 875mV @ 1A

ವೇಗ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr) : 25ns

ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr : 1µA @ 50V

ಸಾಮರ್ಥ್ಯ @ ವಿಆರ್, ಎಫ್ : 25pF @ 10V, 1MHz

ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount

ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : SQ-MELF, A

ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : A-MELF

ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ತಾಪಮಾನ - ಜಂಕ್ಷನ್ : -65°C ~ 175°C

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು

BAT54-D87Z

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.
IDB18E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.
VS-50WQ10FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK.
VS-50WQ04FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK.
VS-30CPF02PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.
VS-80EPF02PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.

ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು