Vishay Semiconductor Diodes Division - BZG05B4V7-HE3-TR3

KEY Part #: K6513792

[7389pcs ಸ್ಟಾಕ್]


    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
    BZG05B4V7-HE3-TR3
    ತಯಾರಕ:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
    DIODE ZENER 4.7V 1.25W DO214AC.
    Manufacturer's standard lead time:
    ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
    ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
    ಒಂದು ವರ್ಷ
    ನಿಂದ ಚಿಪ್:
    ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
    ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
    ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
    ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
    ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
    ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳು, ಪೂ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಸೇತುವೆ ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇಗಳು and ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಏಕ ...
    ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BZG05B4V7-HE3-TR3 electronic components. BZG05B4V7-HE3-TR3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BZG05B4V7-HE3-TR3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BZG05B4V7-HE3-TR3 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : BZG05B4V7-HE3-TR3
    ತಯಾರಕ : Vishay Semiconductor Diodes Division
    ವಿವರಣೆ : DIODE ZENER 4.7V 1.25W DO214AC
    ಸರಣಿ : Automotive, AEC-Q101
    ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Obsolete
    ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz) : 4.7V
    ಸಹಿಷ್ಣುತೆ : ±1.91%
    ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ : 1.25W
    ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt) : 13 Ohms
    ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr : 3µA @ 1V
    ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ : 1.2V @ 200mA
    ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : 150°C (TJ)
    ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
    ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : DO-214AC, SMA
    ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : DO-214AC

    ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು