Micron Technology Inc. - MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR

KEY Part #: K937529

MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [17173pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$2.69811
  • 1,000 pcs$2.68469

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR
ತಯಾರಕ:
Micron Technology Inc.
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash SLC 4G 512MX8 TSOP
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಪಿಎಂಐಸಿ - ಬ್ಯಾಟರಿ ಚಾರ್ಜರ್‌ಗಳು, ಡೇಟಾ ಸ್ವಾಧೀನ - ಎಡಿಸಿಗಳು / ಡಿಎಸಿಗಳು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಲೈಟಿಂಗ್, ನಿಲುಭಾರ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ತರ್ಕ - ಮಲ್ಟಿವೈಬ್ರೇಟರ್‌ಗಳು, ತರ್ಕ - ಗೇಟ್ಸ್ ಮತ್ತು ಇನ್ವರ್ಟರ್ಗಳು - ಬಹು-ಕಾರ್ಯ, ಕಾನ್, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಚಾಲಕರು, ಸ್ವೀಕರಿಸುವವರು, ಸಾಗಣೆದಾರರು, ತರ್ಕ - FIFO ಗಳ ಮೆಮೊರಿ and ತರ್ಕ - ಶಿಫ್ಟ್ ರೆಜಿಸ್ಟರ್ ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR electronic components. MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR
ತಯಾರಕ : Micron Technology Inc.
ವಿವರಣೆ : IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Non-Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : FLASH
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : FLASH - NAND
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 4Gb (512M x 8)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : -
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : -
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : -
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 2.7V ~ 3.6V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 85°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 48-TSOP I

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • MB85RS1MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor