Microsemi Corporation - JAN2N7334

KEY Part #: K6523786

[4049pcs ಸ್ಟಾಕ್]


    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
    JAN2N7334
    ತಯಾರಕ:
    Microsemi Corporation
    ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
    MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
    ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
    ಒಂದು ವರ್ಷ
    ನಿಂದ ಚಿಪ್:
    ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
    ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
    ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
    ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
    ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
    ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಆರ್ಎಫ್, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಏಕೀಕರಣ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಅರೇಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ and ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಆರ್ಎಫ್ ...
    ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
    We specialize in Microsemi Corporation JAN2N7334 electronic components. JAN2N7334 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN2N7334, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN2N7334 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : JAN2N7334
    ತಯಾರಕ : Microsemi Corporation
    ವಿವರಣೆ : MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
    ಸರಣಿ : Military, MIL-PRF-19500/597
    ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
    FET ಪ್ರಕಾರ : 4 N-Channel
    FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ : Standard
    ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ : 100V
    ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ : 1A
    ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ : 700 mOhm @ 600mA, 10V
    Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id : 4V @ 250µA
    ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ : 60nC @ 10V
    ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ : -
    ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ : 1.4W
    ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Through Hole
    ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 14-DIP (0.300", 7.62mm)
    ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : MO-036AB

    ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

    ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • FDG6318P

      ON Semiconductor

      MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6.

    • IRF7503TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8.

    • UPA1764G-E2-AZ

      Renesas Electronics America

      MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC.

    • TMC1340-SO

      Trinamic Motion Control GmbH

      MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC.

    • SI4618DY-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.