ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R83200F-6TLI

KEY Part #: K939265

IS43R83200F-6TLI ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [24351pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$2.23876

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
IS43R83200F-6TLI
ತಯಾರಕ:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪ್ರಸ್ತುತ ನಿಯಂತ್ರಣ / ನಿರ್ವಹಣೆ, ತರ್ಕ - ಪ್ಯಾರಿಟಿ ಜನರೇಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಚೆಕ್ಕರ್‌ಗಳು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು - ಲೀನಿಯರ್ + ಸ್ವಿಚಿಂ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪ್ರದರ್ಶನ ಚಾಲಕರು, ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಸಿಸ್ಟಮ್ ಆನ್ ಚಿಪ್ (SoC), ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಮೈಕ್ರೊಪ್ರೊಸೆಸರ್‌ಗಳು, ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಮೈಕ್ರೊಕಂಟ್ರೋಲರ್, ಮೈಕ್ರೊಪ್ರೊಸೆಸರ್, ಎಫ್‌ಪ and ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಮೈಕ್ರೊಕಂಟ್ರೋಲರ್‌ಗಳು ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200F-6TLI electronic components. IS43R83200F-6TLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R83200F-6TLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R83200F-6TLI ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : IS43R83200F-6TLI
ತಯಾರಕ : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ವಿವರಣೆ : IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : DRAM
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : SDRAM - DDR
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 256Mb (32M x 8)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 166MHz
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : 15ns
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 700ps
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 2.3V ~ 2.7V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 85°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 66-TSOP II

ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • U62256ADK07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

  • W632GG8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.