S34MS02G200BHI003 ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [17014pcs ಸ್ಟಾಕ್]
- 1 pcs$2.69325
- 2,300 pcs$2.58058
- ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
- S34MS02G200BHI003
- ತಯಾರಕ:
- Cypress Semiconductor Corp
- ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
- IC FLASH 2G PARALLEL. NAND Flash Nand
- Manufacturer's standard lead time:
- ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
- ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
- ಒಂದು ವರ್ಷ
- ನಿಂದ ಚಿಪ್:
- ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
- ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
- ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
-
- ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
- ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
- ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಗಡಿಯಾರ / ಸಮಯ - ಗಡಿಯಾರ ಬಫರ್‌ಗಳು, ಚಾಲಕರು, ಡೇಟಾ ಸ್ವಾಧೀನ - ಟಚ್ ಸ್ಕ್ರೀನ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ಲೀನಿಯರ್ - ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ಗಳು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ, ತರ್ಕ - ಬಫರ್‌ಗಳು, ಚಾಲಕರು, ಸ್ವೀಕರಿಸುವವರು, ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಸ, ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಪಿಎಲ್‌ಡಿಗಳು (ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಲಾಜಿಕ್ ಸಾಧನ), ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪ್ರಸ್ತುತ ನಿಯಂತ್ರಣ / ನಿರ್ವಹಣೆ, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಎನ್ಕೋಡರ್ಗಳು, ಡಿಕೋಡರ್ಗಳು, ಪರಿವರ್ತಕಗಳು and ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಡಿಎಸ್ಪಿ (ಡಿಜಿಟಲ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಪ್ರೊಸೆಸರ್) ...
- ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp S34MS02G200BHI003 electronic components. S34MS02G200BHI003 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S34MS02G200BHI003, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S34MS02G200BHI003 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
S34MS02G200BHI003
ತಯಾರಕ :
Cypress Semiconductor Corp
ವಿವರಣೆ :
IC FLASH 2G PARALLEL
ಸರಣಿ :
MS-2
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ :
Last Time Buy
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ :
Non-Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ :
FLASH
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ :
FLASH - NAND
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ :
2Gb (256M x 8)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ :
-
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ :
45ns
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ :
45ns
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ :
Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ :
1.7V ~ 1.95V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ :
-40°C ~ 85°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
63-VFBGA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
63-BGA (11x9)
ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ
ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
-
-
AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
71V25761S183PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು
- W25P40VSNIG T&R
- MT28F320J3RG-11 GMET
- CY7C1355B-100AC
- M27C1001-70C1
- AT45DB041B-TC-2.5
- AT45D021-JC
- AT29C256-20TC
- AT24C164-10PI-2.7
- AT49F1025-55JI
- AT24C256W-10SC-2.7
- IS25WP016-JKLE
- IS62WV12816ALL-70BI-TR
- MT53B4DCNQ-DC
- 7006S15PFI
- MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR
- MT53D384M32D2DS-046 AAT:C TR
- IS49NLS18160-25WBLI
- 24AA512-I/S22K
- AS4C8M16S-7TCNTR
- AT45DQ161-SHD2B-T
- MT41J512M8RH-093:E
- MT48LC32M8A2BB-7E:G TR
- CY7C1484BV25-250AXI
- R1LP0408DSB-5SI#B0
- MT29FEN64GDKCAAXDQ-10:A
- IS46TR16128A-125KBLA1
- SST25VF080B-80-4I-S2AE-T
- AT25DQ161-SH-T
- CY7C1474BV33-167BGIT
- AT93C86AY6-10YH-1.8-T
- 71V321L25PF8
- IDT71V016SA20PH
- IDT71T75902S75PFI
- IDT71T75702S85PFI
- 7130SA20J
- RC28F640P30B85A
- CY62157DV30L-55BVXE
- IS42S32800B-6BL-TR
- IS42S16800D-7T-TR
- TC58CVG0S3HRAIG
选择你的位置