Microsemi Corporation - JANTX1N6312US

KEY Part #: K6479710

JANTX1N6312US ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [279pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$158.60680
  • 10 pcs$150.94992
  • 50 pcs$145.48072
  • 100 pcs$142.19920
  • 250 pcs$140.01152
  • 500 pcs$136.73000
  • 1,000 pcs$131.26080

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
JANTX1N6312US
ತಯಾರಕ:
Microsemi Corporation
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
DIODE ZENER 3.3V 500MW B-SQ MELF. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳು, ಪೂ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಆರ್ಎಫ್, ಪವರ್ ಡ್ರೈವರ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಏಕೀಕರಣ, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಸ್ - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು and ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6312US electronic components. JANTX1N6312US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6312US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N6312US ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : JANTX1N6312US
ತಯಾರಕ : Microsemi Corporation
ವಿವರಣೆ : DIODE ZENER 3.3V 500MW B-SQ MELF
ಸರಣಿ : Military, MIL-PRF-19500/533
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz) : 3.3V
ಸಹಿಷ್ಣುತೆ : ±5%
ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ : 500mW
ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt) : 27 Ohms
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr : 5µA @ 1V
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ : 1.4V @ 1A
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -65°C ~ 175°C
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : SQ-MELF, B
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : B, SQ-MELF

ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA