S3M M6G ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [948493pcs ಸ್ಟಾಕ್]
- 1 pcs$0.03900
- ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
- S3M M6G
- ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
- DIODE GEN PURP 3A DO214AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
- ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
- ಒಂದು ವರ್ಷ
- ನಿಂದ ಚಿಪ್:
- ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
- ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
- ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
-
- ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
- ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
- ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಜೆಎಫ್‌ಇಟಿಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಸೇತುವೆ ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ವೇರಿಯಬಲ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ವರಿಕಾಪ್ಸ್, ವರಕ್ಟ, ಪವರ್ ಡ್ರೈವರ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಗಳು - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು - ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು and ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಸ್ - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು ...
- ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S3M M6G electronic components. S3M M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S3M M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S3M M6G ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
S3M M6G
ತಯಾರಕ :
Taiwan Semiconductor Corporation
ವಿವರಣೆ :
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
ಸರಣಿ :
-
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ :
Not For New Designs
ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ :
Standard
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ) :
-
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) :
3A
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ :
1.15V @ 3A
ವೇಗ :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr) :
1.5µs
ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr :
5µA @ 1000V
ಸಾಮರ್ಥ್ಯ @ ವಿಆರ್, ಎಫ್ :
30pF @ 4V, 1MHz
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
DO-214AB, SMC
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
DO-214AB (SMC)
ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ತಾಪಮಾನ - ಜಂಕ್ಷನ್ :
-55°C ~ 150°C
ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ
ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
-
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High
-
SE30AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA
-
SE30AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA
-
SE30AFB-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFGHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು
- VSB3200-M3/51
- D1461S45TXPSA2
- CLLRH-02 TR
- VS-8EWS12STRRPBF
- TVR10GHM3/54
- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
- RB721Q-40T-72
- CD1607-B120LF
- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
- HER206-TP
- BY229B-600HE3/45
- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
- GPP15B-E3/54
- RGP5020HE3/73
- BYD13MGP-E3/73
- FFH15S60STU
- V10P10-E3/87A
- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
- BAS21T-7
- VSKE270-08
- PRLL5817,115
- CLL3595 BK
- 1F3-TP
- FESB16DT-E3/81
- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
- HS3M R7G
- MURS160HE3_A/I
- RM 1V1
- RB068LAM-40TR
- RBR1MM40ATR
- 1N6483-E3/97
选择你的位置