ನಿಮ್ಮ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಪಟ್ಟಿ ಮಾಡದಿದ್ದರೆ, ದಯವಿಟ್ಟು ಈ ಕೆಳಗಿನವುಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದನ್ನು ಆರಿಸಿ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

ನಿಮ್ಮ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಪಟ್ಟಿ ಮಾಡದಿದ್ದರೆ, ದಯವಿಟ್ಟು ಈ ಕೆಳಗಿನವುಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದನ್ನು ಆರಿಸಿ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ಮನೆ
  2. ಉತ್ಪನ್ನಗಳು
  3. DRAM
  4. LPDDR4X
  5. K4U8E3S4AD-GHCL

Samsung Semiconductor - K4U8E3S4AD-GHCL

KEY Part #: K7359746

[14282pcs ಸ್ಟಾಕ್]

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
    K4U8E3S4AD-GHCL
    ತಯಾರಕ:
    Samsung Semiconductor
    ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
    8 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
    ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
    ಒಂದು ವರ್ಷ
    ನಿಂದ ಚಿಪ್:
    ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
    ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
    ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
    ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
    ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
    ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: SLC Nand, GDDR6, DDR3, HBM Aquabolt, HBM Flarebolt, LPDDR3, MODULE and LPDDR4X ...
    ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4U8E3S4AD-GHCL electronic components. K4U8E3S4AD-GHCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4U8E3S4AD-GHCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4U8E3S4AD-GHCL ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : K4U8E3S4AD-GHCL
    ತಯಾರಕ : Samsung Semiconductor
    ವಿವರಣೆ : 8 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
    ಸರಣಿ : DDR3
    ಸಾಂದ್ರತೆ : 8 Gb
    ಆರ್ಗ್ಯಾನಿಕ್. : x32
    ಸ್ಪೀಡ್ : 4266 Mbps
    ವೋಲ್ಟೇಜ್ : 1.8 / 1.1 / 0.6 V
    ತಾಪ. : -40 ~ 105 °C
    ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 200FBGA
    ಉತ್ಪನ್ನ ಸ್ಥಿತಿ : Mass Production

    ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    The future of NAND technology
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    How Will 5G Impact on Memory?
    Speed for the next generation of mobile devices
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    Samsung Z-SSD SZ985
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು