ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
APTC90HM60T3G
ತಯಾರಕ :
Microsemi Corporation
ವಿವರಣೆ :
MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3
FET ಪ್ರಕಾರ :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ :
Super Junction
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ :
900V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ :
59A
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ :
60 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id :
3.5V @ 6mA
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ :
540nC @ 10V
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ :
13600pF @ 100V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Chassis Mount
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
SP3