ವಿವರಣೆ :
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
FET ಪ್ರಕಾರ :
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ :
GaNFET (Gallium Nitride)
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ :
60V, 100V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ :
1.7A, 500mA
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ :
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id :
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ :
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ :
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
9-VFBGA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
9-BGA (1.35x1.35)