ವಿವರಣೆ :
MOSFET 3N/3P-CH 60V 6A 12-SIP
FET ಪ್ರಕಾರ :
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ :
Logic Level Gate
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ :
60V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ :
6A
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ :
220 mOhm @ 3A, 4V
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id :
-
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ :
-
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ :
320pF @ 10V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ :
150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Through Hole
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
12-SIP
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
12-SIP w/fin