ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
TK13E25D,S1X(S
ತಯಾರಕ :
Toshiba Semiconductor and Storage
ವಿವರಣೆ :
MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ :
MOSFET (Metal Oxide)
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ :
250V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ :
13A (Ta)
ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಮ್ಯಾಕ್ಸ್ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್) :
10V
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ :
250 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id :
3.5V @ 1mA
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ :
25nC @ 10V
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ :
1100pF @ 100V
ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ (ಗರಿಷ್ಠ) :
102W (Tc)
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ :
150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Through Hole
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
TO-220-3
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
TO-220-3