EPC - EPC2018

KEY Part #: K6403908

ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:: ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಆರ್ಎಫ್, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಆರ್ಎಫ್, ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಡಿಐಎಸಿಗಳು, ಎಸ್‌ಐಡಿಎಸಿಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - RF, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇಗಳು and ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ಸೇತುವೆ ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು ...

ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:: We specialize in EPC EPC2018 electronic components. EPC2018 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2018, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : EPC2018

ತಯಾರಕ : EPC

ವಿವರಣೆ : GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE

ಸರಣಿ : eGaN®

ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Discontinued at Digi-Key

FET ಪ್ರಕಾರ : N-Channel

ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : GaNFET (Gallium Nitride)

ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ : 150V

ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ : 12A (Ta)

ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಮ್ಯಾಕ್ಸ್ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್) : 5V

ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ : 25 mOhm @ 6A, 5V

Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id : 2.5V @ 3mA

ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ : 7.5nC @ 5V

Vgs (ಗರಿಷ್ಠ) : +6V, -5V

ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ : 540pF @ 100V

FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ : -

ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ (ಗರಿಷ್ಠ) : -

ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 125°C (TJ)

ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount

ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : Die

ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : Die

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು

AUIRFR8405

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.
AUIRFR8403

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.
AUIRFR8401

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.
2SK3309(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.
FQD3N50CTF

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.
IRLR3715TRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

ಬಿಸಿ ಭಾಗಗಳು