Vishay Semiconductor Diodes Division - G3SBA80L-6000M3/51

KEY Part #: K6541151

[4086pcs ಸ್ಟಾಕ್]


    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
    G3SBA80L-6000M3/51
    ತಯಾರಕ:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU.
    Manufacturer's standard lead time:
    ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
    ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
    ಒಂದು ವರ್ಷ
    ನಿಂದ ಚಿಪ್:
    ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
    ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
    ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
    ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
    ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
    ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಏಕೀಕರಣ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ, ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಅರೇಗಳು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಏಕ and ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ವೇರಿಯಬಲ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ವರಿಕಾಪ್ಸ್, ವರಕ್ಟ ...
    ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division G3SBA80L-6000M3/51 electronic components. G3SBA80L-6000M3/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for G3SBA80L-6000M3/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    G3SBA80L-6000M3/51 ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

    ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : G3SBA80L-6000M3/51
    ತಯಾರಕ : Vishay Semiconductor Diodes Division
    ವಿವರಣೆ : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU
    ಸರಣಿ : -
    ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Obsolete
    ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ : Single Phase
    ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : Standard
    ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೀಕ್ ರಿವರ್ಸ್ (ಗರಿಷ್ಠ) : 800V
    ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) : 2.3A
    ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ : 1V @ 2A
    ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr : 5µA @ 800V
    ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Through Hole
    ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 4-SIP, GBU
    ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : GBU

    ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
    • KBP408G-BP

      Micro Commercial Co

      BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBP. Bridge Rectifiers 4A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

    • DB107-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB. Bridge Rectifiers VR=1000V, IO=1A

    • DF204S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A DFS. Bridge Rectifiers DFS GPP 2A 400V Rect. Bridge Diode

    • GBPC3510W T0G

      Taiwan Semiconductor Corporation

      BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35A, 1000V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIRE

    • GBPC1501W T0G

      Taiwan Semiconductor Corporation

      BRIDGE RECT 1P 100V 15A GBPC-W. Bridge Rectifiers 15A, 100V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIRE

    • GBPC3506W T0G

      Taiwan Semiconductor Corporation

      BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35A, 600V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIRE