Micron Technology Inc. - MT25QU128ABB8E12-0AUT TR

KEY Part #: K938214

MT25QU128ABB8E12-0AUT TR ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [19571pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$2.34129

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
MT25QU128ABB8E12-0AUT TR
ತಯಾರಕ:
Micron Technology Inc.
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC FLASH 128M SPI 24TPBGA. NOR Flash SPI FLASH NOR SLC 32MX4 TBGA
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಸಿಗ್ನಲ್ ಟರ್ಮಿನೇಟರ್ಗಳು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಹಾಟ್ ಸ್ವಾಪ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪಿಎಫ್‌ಸಿ (ಪವರ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ ತಿದ್ದುಪಡಿ), ಪಿಎಂಐಸಿ - ಎಸಿ ಡಿಸಿ ಪರಿವರ್ತಕಗಳು, ಆಫ್‌ಲೈನ್ ಸ್ವಿಚರ್‌ಗ, ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಮೈಕ್ರೊಪ್ರೊಸೆಸರ್‌ಗಳು, ಡೇಟಾ ಸ್ವಾಧೀನ - ಎಡಿಸಿಗಳು / ಡಿಎಸಿಗಳು - ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು and ಎಂಬೆಡೆಡ್ - ಡಿಎಸ್ಪಿ (ಡಿಜಿಟಲ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಪ್ರೊಸೆಸರ್) ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Micron Technology Inc. MT25QU128ABB8E12-0AUT TR electronic components. MT25QU128ABB8E12-0AUT TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT25QU128ABB8E12-0AUT TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT25QU128ABB8E12-0AUT TR ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : MT25QU128ABB8E12-0AUT TR
ತಯಾರಕ : Micron Technology Inc.
ವಿವರಣೆ : IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
ಸರಣಿ : Automotive, AEC-Q100
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Non-Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : FLASH
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : FLASH - NOR
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 128Mb (16M x 8)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 133MHz
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : 8ms, 2.8ms
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : -
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : SPI
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 1.7V ~ 2V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 105°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 24-TBGA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 24-T-PBGA (6x8)

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C