GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD5F4GQ4UBYIGY

KEY Part #: K937661

GD5F4GQ4UBYIGY ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [17606pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$2.60259

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
GD5F4GQ4UBYIGY
ತಯಾರಕ:
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
SPI NAND FLASH.
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಪಿಎಂಐಸಿ - ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು - ಲೀನಿಯರ್ + ಸ್ವಿಚಿಂ, ಲೀನಿಯರ್ - ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ಗಳು - ಇನ್ಸ್ಟ್ರುಮೆಂಟೇಶನ್, ಒಪಿ , ಡೇಟಾ ಸ್ವಾಧೀನ - ಟಚ್ ಸ್ಕ್ರೀನ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ಗಡಿಯಾರ / ಸಮಯ - ರಿಯಲ್ ಟೈಮ್ ಗಡಿಯಾರಗಳು, ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ವಿಶೇಷ ಐಸಿಗಳು, ಡೇಟಾ ಸ್ವಾಧೀನ - ಅನಲಾಗ್ ಫ್ರಂಟ್ ಎಂಡ್ (ಎಎಫ್‌ಇ) and ಪಿಎಂಐಸಿ - ಬ್ಯಾಟರಿ ಚಾರ್ಜರ್‌ಗಳು ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4UBYIGY electronic components. GD5F4GQ4UBYIGY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GD5F4GQ4UBYIGY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GD5F4GQ4UBYIGY ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : GD5F4GQ4UBYIGY
ತಯಾರಕ : GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ವಿವರಣೆ : SPI NAND FLASH
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Non-Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : FLASH
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : FLASH - NAND
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 4Gb (512M x 8)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 120MHz
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : -
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : -
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : SPI - Quad I/O
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 2.7V ~ 3.6V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 85°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 8-WDFN Exposed Pad
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 8-WSON (6x8)
ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • MB85RS1MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9812G2KB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • S25FS512SAGNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 133MHZ. NOR Flash Nor