Alliance Memory, Inc. - AS4C8M16SA-6BANTR

KEY Part #: K940188

AS4C8M16SA-6BANTR ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [28417pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$1.61254
  • 2,500 pcs$1.54535

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
AS4C8M16SA-6BANTR
ತಯಾರಕ:
Alliance Memory, Inc.
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪಿಎಫ್‌ಸಿ (ಪವರ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ ತಿದ್ದುಪಡಿ), ಪಿಎಂಐಸಿ - ಎಲ್ಇಡಿ ಚಾಲಕರು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ವಿದ್ಯುತ್ ವಿತರಣಾ ಸ್ವಿಚ್‌ಗಳು, ಲೋಡ್ ಡ್ರೈವರ್, ಪಿಎಂಐಸಿ - ಎಸಿ ಡಿಸಿ ಪರಿವರ್ತಕಗಳು, ಆಫ್‌ಲೈನ್ ಸ್ವಿಚರ್‌ಗ, ಡೇಟಾ ಸ್ವಾಧೀನ - ಡಿಜಿಟಲ್ ಟು ಅನಲಾಗ್ ಪರಿವರ್ತಕಗಳು (ಡಿಎಸ, ತರ್ಕ - ಕೌಂಟರ್‌ಗಳು, ವಿಭಾಜಕಗಳು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜು ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ಮಾನಿಟರ್‌ಗಳ and ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ - UART ಗಳು (ಯುನಿವರ್ಸಲ್ ಅಸಿಂಕ್ರೋನಸ್ ರಿಸೀವ ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-6BANTR electronic components. AS4C8M16SA-6BANTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C8M16SA-6BANTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C8M16SA-6BANTR ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : AS4C8M16SA-6BANTR
ತಯಾರಕ : Alliance Memory, Inc.
ವಿವರಣೆ : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
ಸರಣಿ : Automotive, AEC-Q100
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : DRAM
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : SDRAM
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 128Mb (8M x 16)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 166MHz
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : 12ns
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 5ns
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 3V ~ 3.6V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : -40°C ~ 105°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 54-TFBGA
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 54-TFBGA (8x8)

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • CY7C199D-25SXET

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs

  • W94AD2KBJX5I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp T&R

  • W632GG8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GG8MB-11

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz

  • W632GU8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GU8MB-12

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz,