ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ :
SI5511DC-T1-E3
ವಿವರಣೆ :
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
FET ಪ್ರಕಾರ :
N and P-Channel
FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ :
Logic Level Gate
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ :
30V
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ :
4A, 3.6A
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ :
55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id :
2V @ 250µA
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ :
7.1nC @ 5V
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ :
435pF @ 15V
ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ :
3.1W, 2.6W
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ :
Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ :
8-SMD, Flat Lead
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ :
1206-8 ChipFET™