ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R86400F-5TL

KEY Part #: K938853

IS43R86400F-5TL ಬೆಲೆ (ಯುಎಸ್ಡಿ) [22170pcs ಸ್ಟಾಕ್]

  • 1 pcs$2.46351

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ:
IS43R86400F-5TL
ತಯಾರಕ:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ವಿವರವಾದ ವಿವರಣೆ:
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
Manufacturer's standard lead time:
ಉಪಲಬ್ದವಿದೆ
ಶೆಲ್ಫ್ ಜೀವನ:
ಒಂದು ವರ್ಷ
ನಿಂದ ಚಿಪ್:
ಹಾಂಗ್ ಕಾಂಗ್
ರೋಹೆಚ್ಎಸ್:
ಪಾವತಿ ವಿಧಾನ:
ಸಾಗಣೆ ದಾರಿ:
ಕುಟುಂಬ ವರ್ಗಗಳು:
ಕೆಇ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ಕಂ, ಎಲ್‌ಟಿಡಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ಸ್ ವಿತರಕರಾಗಿದ್ದು, ಅವರು ಉತ್ಪನ್ನ ವಿಭಾಗಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತಾರೆ: ಗಡಿಯಾರ / ಸಮಯ - ಗಡಿಯಾರ ಬಫರ್‌ಗಳು, ಚಾಲಕರು, ಡೇಟಾ ಸ್ವಾಧೀನ - ಟಚ್ ಸ್ಕ್ರೀನ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು, ಪಿಎಂಐಸಿ - ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕರು - ಲೀನಿಯರ್ ರೆಗ್ಯುಲೇಟರ, ಪಿಎಂಐಸಿ - ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿಯಂತ್ರಕಗಳು - ಲೀನಿಯರ್, ತರ್ಕ - ಅನುವಾದಕರು, ಮಟ್ಟದ ವರ್ಗಾವಣೆದಾರರು, ಆಡಿಯೋ ವಿಶೇಷ ಉದ್ದೇಶ, ಲೀನಿಯರ್ - ವಿಡಿಯೋ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ and ಪಿಎಂಐಸಿ - ಪ್ರದರ್ಶನ ಚಾಲಕರು ...
ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಅನುಕೂಲತೆ:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-5TL electronic components. IS43R86400F-5TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R86400F-5TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R86400F-5TL ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ : IS43R86400F-5TL
ತಯಾರಕ : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ವಿವರಣೆ : IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
ಸರಣಿ : -
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ : Active
ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : Volatile
ಮೆಮೊರಿ ಸ್ವರೂಪ : DRAM
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ : SDRAM - DDR
ಮೆಮೊರಿ ಗಾತ್ರ : 512Mb (64M x 8)
ಗಡಿಯಾರ ಆವರ್ತನ : 200MHz
ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಬರೆಯಿರಿ - ಪದ, ಪುಟ : 15ns
ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯ : 700ps
ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ : Parallel
ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪೂರೈಕೆ : 2.3V ~ 2.7V
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ : 0°C ~ 70°C (TA)
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ : Surface Mount
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ : 66-TSOP II

ಇತ್ತೀಚಿನ ಸುದ್ದಿ

ನೀವು ಸಹ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿರಬಹುದು
  • FM25V02A-DGQTR

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM F-RAM Memory Serial

  • AT28HC64BF-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS SOIC IND GRN

  • 71V3576S150PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • 71V3577S75PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W9812G2KB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • W978H6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 256Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C